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  • 30款碳化硅肖特基的性能与应用场景
  • 随着技术的不断迭代与市场需求的变化,我们一直致力于碳化硅功率器件的研发与创新,今天为您介绍我们精心打造的30款碳化硅肖特基系列产品。此系列产品涵盖了多种关键参数配置,满足不同客户对高性能功率器件的需求。其中,反向击穿电压(VR)分别为650V、1200V、1700V三个等级,能够适应从中低压到高压环境下的各种应用场合。正向电流(IF)范围则宽泛地覆盖了6A至60A,这对于不同的负载需求提供了灵活选择。在封装形式上,主要采用了业界标准且广泛应用的TO247-2L和TO220-2L两种封装类型,它们不仅拥有良好的散热性能,还便于在现有系统中进行便捷替换。650V产品及应用说明:1.数据中心电源供...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: 发帖人:华轩阳电子 发帖时间:2024-03-19 11:01:00
  • MC34063在PCBA板设计与开发中的应用技巧与典型案例
  • 为了提高稳定性、性能和简化电路,我们经常需要依赖于各种元器件,其中之一就是MC34063。本文将介绍MC34063在PCBA板设计与开发中的应用技巧和一些典型案例,帮助您更好地利用这一元器件。MC34063简介MC34063是一款广泛用于DC-DC升压、降压和反向极性转换的开关电源控制器。它具有低成本、高效率和广泛的工作电压范围,因此在电子产品设计中得到了广泛应用。下面,我们将讨论MC34063在PCBA板设计中的几个关键方面。应用MC34063提高稳定性的建议1.输出电容选择在MC34063的设计中,选择合适的输出电容至关重要。合适的电容可以降低输出纹波,提高稳定性。建议使用低ESR(等效...
  • 所属专栏: 其他新品分享 标签: 技巧 PCBA板 MOS 芯片 发帖人:华轩阳电子 发帖时间:2023-09-28 18:36:00
  • 碳化硅肖特基二极管的优点及应用
  • MDD碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍,达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.,其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。它与硅半导体材料一样,可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。其优点是:1.碳化硅单载流子器件漂移区薄,开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻,碳化硅功率器件的正向损耗小。2.碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如,商用的硅肖特基的电压小于300V,而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。3.碳化硅有高的热导率,因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻...
  • 所属专栏: 器件替换 标签: 二极管,二极管,MDD 发帖人:MDD二极管桥堆 发帖时间:2023-08-09 10:50:00
  • MDD碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器中的应用优势有哪些?
  • MDD碳化硅肖特基二极管应用有哪些?它的优势有哪些呢?对比硅的快恢复二极管,碳化硅肖特基二极管在BOOST电路中的应用具有很大的优势,由于碳化硅肖特基二极管是肖特基结构,且是多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题,因此碳化硅肖特基二极管可以降低对应换流回路中的开关损耗,在更高的频率环境中工作,且在相同工作频率下具有更高的效率。在光伏逆变器中,碳化硅肖特基二极管主要用于BOOST电路,如图2所示为SingleBoost,是光伏逆变器中使用较为广泛的,图2中的D1在使用碳化硅肖特基二极管时,可以降低对应换流回路中开关管的开关损耗,降低温升,从而减小散热器的体积,可以提高频率,减小...
  • 所属专栏: 器件替换 标签: 二极管 二极管 MDD 发帖人:MDD二极管桥堆 发帖时间:2023-05-26 10:26:00
  • B1D031203A1200VBasic碳化硅肖特基二极管应用于新能源电动汽车
  • 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管,提供行业标准封装,具有优越的性能和极高的工作效率。(第三代半导体行业领军企业,率先掌握国际领先的碳化硅肖特基二极管,1200V碳化硅MOSFET,车规级碳化硅模块等)产品广泛应用于:电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域,新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC电源等领域有广...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: 1200V Basic MOSFET 发帖人:TR8808 发帖时间:2021-10-29 17:04:00
  • C3D02065E兼容品BasicB1D02065E碳化硅肖特基二极管性能更优速度更快
  • 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管,具有优越的性能和极高的工作效率。B1D02065E是一款650V2A6.8nC碳化硅肖特基二极管可兼容C3D02065E更优越的性能,零开关损耗,提高效率,降低解决方案成本,功率密度增加,实现更高的开关频率,减少对散热器的需求,减少电磁干扰。产品特性:1.极低反向电流2.无反向恢复电流3.温度无关开关4.VF...
  • 所属专栏: 新品推荐活动 标签: C3D02065E Basic B1D02065E 650V二极管 发帖人:Hany 发帖时间:2021-10-27 15:48:00
  • 肖特基二极管产品特性
  • 1.肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多,所以自身功耗较小,效率高。2.由于反向电荷恢复时间极短,所以适宜工作在高频状态下。3.能耐受高浪涌电流。4.以前的肖特基管反向耐压一般在200V以下,但现在最新技术可以做到高达1000V的产品,市场应用前景十分广阔。5.目前市场上常见的肖特基管最高结温分100℃、125℃、150%、175℃几种(结温越高表示产品抗高温特性越好。即工作在此温度以下不会引起失效)。肖特基二极管规格书下载:SS22B-THRU-SS2200B.pdf
  • 所属专栏: 器件替换 标签: 二极管 发帖人:MDD二极管桥堆 发帖时间:2020-11-16 10:47:00
  • ​1200V10A/20A碳化硅SiC肖特基二极管
  • 1200V10A/20A碳化硅SiC肖特基二极管·最大结温为175℃·高浪涌电流容量·零反向恢复电流·零反向恢复电压·高频工作·开关特性不受温度影响·正向导通电压VF为正温度系数应用:·太阳能升压器·逆变器续流反并联二极管·维也纳三相PFC整流变换器·AC/DC变换器·开关电源
  • 所属专栏: 新品推荐活动 标签: 二极管 发帖人:limy0104 发帖时间:2020-03-17 16:19:00
  • ​1200V10A/20A碳化硅SiC肖特基二极管
  • 1200V10A/20A碳化硅SiC肖特基二极管·最大结温为175℃·高浪涌电流容量·零反向恢复电流·零反向恢复电压·高频工作·开关特性不受温度影响·正向导通电压VF为正温度系数应用:·太阳能升压器·逆变器续流反并联二极管·维也纳三相PFC整流变换器·AC/DC变换器·开关电源
  • 所属专栏: 新品推荐活动 标签: 二极管 发帖人:limy0104 发帖时间:2020-03-12 11:32:00
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